唐氏綜合征是最常見、最高發(fā)的出生缺陷疾病，風險率達1/700；患兒因多了一條21號染色體而具有明顯的智力和形體缺陷，給患兒及其家庭，乃至社會造成沉重負擔。為了降低該病患兒出生率，我國要求對孕婦進行產(chǎn)前篩查，目前國內(nèi)通用的方法為超聲檢查和孕婦血液標志物檢測，存在準確率低、誤診率高的問題；而新興的全基因測序的方法，不僅費用昂貴，且用時過長，難以在大范圍推廣，因此急需發(fā)展一種快速，低成本且準確率高的新型篩查方法。據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，北京大學信息科學技術(shù)學院電子學系、納米器件物理與化學教育部重點實驗室張志勇教授課題組利用基于二硫化鉬（MoS2）場效應晶體管（FET）的生物傳感器，對新型唐氏綜合征篩查方案展開探索，并取得重要進展。

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課題組采用化學氣相沉積（CVD）生長的大面積、高質(zhì)量、均一的單層MoS2薄膜做溝道材料，所制備的FET陣列電學性能優(yōu)越（電流開關(guān)比達106，亞閾值擺幅達70 mV/DEC）；與此同時，在FET溝道區(qū)域修飾金（Au）納米顆粒，以連接DNA探針，通過Au和HS-離子的化合反應，將適當密度的脫氧核糖核酸（DNA）探針連接至金顆粒，該探針DNA就可以捕獲溶液中的待測DNA，引起器件電流下降。在確認FET器件的時間穩(wěn)定性良好后，進行以21號染色體標志性片段為待測物的DNA靜態(tài)反應，并測試器件電學性質(zhì)改變；結(jié)果表明，器件可實現(xiàn)0.1 fM/L的超高檢測精度和240%的最大響應率，綜合這兩項指標，為迄今公開報道的FET DNA傳感器的最佳結(jié)果。在DNA干擾物測試中，器件同樣表現(xiàn)出高度特異性；實時測試表明，器件能夠連續(xù)區(qū)分出1 fM/L～1 pM/L的待測DNA，反應時間僅為400 s。此外，運用相同的實驗方案測試參考DNA（13號染色體）片段，通過比較所測得21號染色體和13號染色體的濃度，即可判斷是否存在21號染色體的過表達，從而推斷胎兒21號染色體數(shù)目是否異常，最終實現(xiàn)唐氏綜合征的無創(chuàng)產(chǎn)前檢測。

基于這項工作的學術(shù)論文《針對唐氏綜合征篩查的單層二硫化鉬場效應晶體DNA傳感器》（Ultrasensitive monolayer MoS2 field-effect transistor based DNA sensors for screening of Down syndrome）于2019年2月13日在線發(fā)表于《納米快訊》（Nano Letters）；電子學系2016級碩士研究生劉靜遐、國家衛(wèi)生和計劃生育委員會科學技術(shù)研究所助理研究員陳西華、中國科學院物理研究所2017級博士研究生王琴琴為共同第一作者，張志勇和中國科學院物理研究所張廣宇研究員為通訊作者。美國化學會官網(wǎng)以《靈敏傳感器檢測唐氏綜合征DNA》（Sensitive sensor detects Down syndrome DNA）為題，作為最新熱點推介。

以上研究得到國家重點研發(fā)計劃、國家重大科學研究計劃、國家自然科學基金等資助；DNA材料和單層MoS2材料分別由陳西華和張廣宇課題組提供。

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